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APTGFQ25H120T2G

Hersteller: Microsemi Corporation
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: APTGFQ25H120T2G
Beschreibung: IGBT 1200V 40A 227W MODULE
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Microsemi Corporation
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ NPT and Fieldstop
Teilstatus Not For New Designs
Leistung - Max 227W
Konfiguration Full Bridge
Montagetyp Through Hole
NTC-Thermistor Yes
Paket / Fall SP2
Betriebstemperatur -
Lieferanten-Gerätepaket SP2
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 40A
Eingangskapazität (Cies) 2.02nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 250µA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 20 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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