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APT95GR65B2

Hersteller: Microsemi Corporation
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: APT95GR65B2
Beschreibung: IGBT 650V 208A 892W T-MAX
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Microsemi Corporation
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ NPT
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 420nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 892W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Testbedingung 433V, 95A, 4.3Ohm, 15V
Schalten der Energie 3.12mJ (on), 2.55mJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 29ns/226ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket T-MAX™ [B2]
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.4V @ 15V, 95A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 208A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 400A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 650V

Auf Lager 50 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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