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APT85GR120B2

Hersteller: Microsemi Corporation
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: APT85GR120B2
Beschreibung: IGBT 1200V 170A 962W TO247
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Microsemi Corporation
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ NPT
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 660nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 962W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Testbedingung 600V, 85A, 4.3Ohm, 15V
Schalten der Energie 6mJ (on), 3.8mJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 43ns/300ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket T-MAX™
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 3.2V @ 15V, 85A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 170A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 340A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

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