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APT70GR120JD60

Hersteller: Microsemi Corporation
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: APT70GR120JD60
Beschreibung: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Microsemi Corporation
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ NPT
Teilstatus Active
Leistung - Max 543W
Konfiguration Single
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor No
Paket / Fall SOT-227-4
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket SOT-227
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 3.2V @ 15V, 70A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 112A
Eingangskapazität (Cies) 7.26nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 1.1mA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

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