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APT6030BN

Hersteller: Microsemi Corporation
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: APT6030BN
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Microsemi Corporation
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie POWER MOS IV®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 300mOhm @ 11.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 360W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247AD
Gate Charge (Qg) (Max.) 210nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3500pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 23A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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