Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
APT50GN120B2G
| Hersteller: | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
| Datenblatt: | APT50GN120B2G |
| Beschreibung: | IGBT 1200V 134A 543W TO-247 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT, Trench Field Stop |
| Verpackung | Tube |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 315nC |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 543W |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 Variant |
| Testbedingung | 800V, 50A, 2.2Ohm, 15V |
| Schalten der Energie | 4495µJ (off) |
| TD (ein/aus) bei 25°C | 28ns/320ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 134A |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 150A |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1200V |
Auf Lager 19 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $11.31 | $11.08 | $10.86 |
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