Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
APT45GP120B2DQ2G
| Hersteller: | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
| Datenblatt: | APT45GP120B2DQ2G |
| Beschreibung: | IGBT 1200V 113A 625W TMAX |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
| Serie | POWER MOS 7® |
| IGBT-Typ | PT |
| Verpackung | Tube |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 185nC |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 625W |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 Variant |
| Testbedingung | 600V, 45A, 5Ohm, 15V |
| Schalten der Energie | 900µJ (on), 905µJ (off) |
| TD (ein/aus) bei 25°C | 18ns/100ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 45A |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 113A |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 170A |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1200V |
Auf Lager 16 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $21.33 | $20.90 | $20.49 |
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