Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
APT35GP120JDQ2
| Hersteller: | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Modules |
| Datenblatt: | APT35GP120JDQ2 |
| Beschreibung: | IGBT 1200V 64A 284W SOT227 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Modules |
| Eingabe | Standard |
| Serie | POWER MOS 7® |
| IGBT-Typ | PT |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 284W |
| Konfiguration | Single |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| NTC-Thermistor | No |
| Paket / Fall | ISOTOP |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | ISOTOP® |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 35A |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 64A |
| Eingangskapazität (Cies) | 3.24nF @ 25V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 350µA |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1200V |
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| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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