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APT25SM120S
| Hersteller: | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | APT25SM120S |
| Beschreibung: | POWER MOSFET - SIC |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Bulk |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Obsolete |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | D-3 Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 175mOhm @ 10A, 20V |
| Verlustleistung (Max.) | 175W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | D3 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 72nC @ 20V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 25A (Tc) |
Auf Lager 0 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
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