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APT20M22B2VFRG

Hersteller: Microsemi Corporation
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: APT20M22B2VFRG
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Microsemi Corporation
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie POWER MOS V®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3 Variant
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 22mOhm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 520W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket T-MAX™ [B2]
Gate Charge (Qg) (Max.) 435nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 10200pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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