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APT18M80B

Hersteller:	Microsemi Corporation
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	APT18M80B
Beschreibung:	MOSFET N-CH 800V 19A TO-247
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	Microsemi Corporation
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	POWER MOS 8™
FET-Typ	N-Channel
Verpackung	Tube
Vgs (Max.)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Active
Montagetyp	Through Hole
Paket / Fall	TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	530mOhm @ 9A, 10V
Verlustleistung (Max.)	500W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket	TO-247 [B]
Gate Charge (Qg) (Max.)	120nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	3760pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V