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APT150GT120JR

Hersteller: Microsemi Corporation
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: APT150GT120JR
Beschreibung: IGBT 1200V 170A 830W SOT227
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Microsemi Corporation
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie Thunderbolt IGBT®
IGBT-Typ NPT
Teilstatus Active
Leistung - Max 830W
Konfiguration Single
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor No
Paket / Fall ISOTOP
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket ISOTOP®
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 3.7V @ 15V, 150A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 170A
Eingangskapazität (Cies) 9.3nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 150µA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 7 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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