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APT150GN120J

Hersteller: Microsemi Corporation
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: APT150GN120J
Beschreibung: IGBT 1200V 215A 625W SOT227
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Microsemi Corporation
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ Trench Field Stop
Teilstatus Active
Leistung - Max 625W
Konfiguration Single
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor No
Paket / Fall ISOTOP
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket ISOTOP®
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.1V @ 15V, 150A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 215A
Eingangskapazität (Cies) 9.5nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 100µA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

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