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2N6989

Hersteller: Microsemi Corporation
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: 2N6989
Beschreibung: TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Microsemi Corporation
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Verpackung Bulk
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Leistung - Max 1.5W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Transistortyp 4 NPN (Quad)
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequenz - Übergang -
Lieferanten-Gerätepaket TO-116
Vce Sättigung (Max.) 1V @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 800mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 100 @ 150mA, 10V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

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