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2N3810L

Hersteller: Microsemi Corporation
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: 2N3810L
Beschreibung: TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Microsemi Corporation
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Verpackung Bulk
Teilstatus Active
Leistung - Max 350mW
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-78-6 Metal Can
Transistortyp 2 PNP (Dual)
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequenz - Übergang -
Lieferanten-Gerätepaket TO-78-6
Vce Sättigung (Max.) 250mV @ 100µA, 1mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 50mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 150 @ 1mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 60V

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