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2N2609

Hersteller: Microsemi Corporation
Produktkategorie: Transistors - JFETs
Datenblatt: 2N2609
Beschreibung: JFETS
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Microsemi Corporation
Produktkategorie Transistors - JFETs
Serie -
FET-Typ P-Channel
Verpackung Bag
Teilstatus Active
Leistung - Max 300mW
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-18 (TO-206AA)
Stromabfluss (Id) - Max 10mA
Spannung - Aufschlüsselung (V(BR)GSS) 30V
Spannung - Cutoff (VGS aus) 750mV @ 1A
Strom - Abfluss (Idss) - Vds (Vgs=0) 2mA @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 10pF @ 5V

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