Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
1N649-1
| Hersteller: | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Produktkategorie: | Diodes - Rectifiers - Single |
| Datenblatt: | 1N649-1 |
| Beschreibung: | DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Produktkategorie | Diodes - Rectifiers - Single |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Verpackung | Bulk |
| Diodentyp | Standard |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Kapazität - Vr, F | - |
| Lieferanten-Gerätepaket | DO-35 |
| Strom - Reverse Leakage - Vr | 50nA @ 600V |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Aktuell - Durchschnittlich korrigiert (Io) | 400mA |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -65°C ~ 175°C |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) | 1V @ 400mA |
Auf Lager 1292 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $3.67 | $3.60 | $3.52 |
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