Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
1N5809
| Hersteller: | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Produktkategorie: | Diodes - Rectifiers - Single |
| Datenblatt: | 1N5809 |
| Beschreibung: | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Produktkategorie | Diodes - Rectifiers - Single |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Verpackung | Bulk |
| Diodentyp | Standard |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | B, Axial |
| Kapazität - Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30ns |
| Strom - Reverse Leakage - Vr | 5µA @ 100V |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Aktuell - Durchschnittlich korrigiert (Io) | 3A |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -65°C ~ 175°C |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) | 875mV @ 4A |
Auf Lager 800 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $9.50 | $9.31 | $9.12 |
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