Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
MT47H512M4EB-3:C
| Hersteller: | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Produktkategorie: | Memory |
| Datenblatt: | MT47H512M4EB-3:C |
| Beschreibung: | IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Produktkategorie | Memory |
| Serie | - |
| Verpackung | Tray |
| Technologie | SDRAM - DDR2 |
| Zugriffszeit | 450ps |
| Speichergröße | 2Gb (512M x 4) |
| Speichertyp | Volatile |
| Teilstatus | Obsolete |
| Speicherformat | DRAM |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 60-TFBGA |
| Taktfrequenz | 333MHz |
| Basis-Teilenummer | MT47H512M4 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.9V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 60-FBGA (9x11.5) |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Auf Lager 0 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
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