Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

MT47H128M4SH-25E:H

Hersteller: Micron Technology Inc.
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: MT47H128M4SH-25E:H
Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Micron Technology Inc.
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Bulk
Technologie SDRAM - DDR2
Zugriffszeit 400ps
Speichergröße 512Mb (128M x 4)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Obsolete
Speicherformat DRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 60-TFBGA
Taktfrequenz 400MHz
Basis-Teilenummer MT47H128M4
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur 0°C ~ 85°C (TC)
Lieferanten-Gerätepaket 60-FBGA (8x10)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns

Auf Lager 0 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Schnäppchen-Funde

AT45DB641E-CCUN2B-T
Adesto Technologies
$0
SST25VF080B-50-4I-ZCE
Microchip Technology
$0
IS42S32200E-7TL-TR
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
$0
IS42S16800E-7TL-TR
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
$0
IS42S16400F-7TLI-TR
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
$0
IS42S16100E-7TLI-TR
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
$0