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MT46V128M4CY-5B:J

Hersteller: Micron Technology Inc.
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: MT46V128M4CY-5B:J
Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Micron Technology Inc.
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tray
Technologie SDRAM - DDR
Zugriffszeit 700ps
Speichergröße 512Mb (128M x 4)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Obsolete
Speicherformat DRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 60-TFBGA
Taktfrequenz 200MHz
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 2.5V ~ 2.7V
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 60-FBGA (8x12.5)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns

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