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MT41K512M8RH-107:E TR

Hersteller: Micron Technology Inc.
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: MT41K512M8RH-107:E TR
Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Micron Technology Inc.
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Technologie SDRAM - DDR3L
Zugriffszeit 20ns
Speichergröße 4Gb (512M x 8)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Obsolete
Speicherformat DRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 78-TFBGA
Taktfrequenz 933MHz
Basis-Teilenummer MT41K512M8
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC)
Lieferanten-Gerätepaket 78-FBGA (9x10.5)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -

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