Hersteller: | Micron Technology Inc. |
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Produktkategorie: | Memory |
Datenblatt: | MT41J512M8THU-187E:A |
Beschreibung: | IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Micron Technology Inc. |
Produktkategorie | Memory |
Serie | - |
Verpackung | Tray |
Technologie | SDRAM - DDR3 |
Zugriffszeit | 13.125ns |
Speichergröße | 4Gb (512M x 8) |
Speichertyp | Volatile |
Teilstatus | Obsolete |
Speicherformat | DRAM |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 82-FBGA |
Taktfrequenz | 533MHz |
Basis-Teilenummer | MT41J512M8 |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannung - Versorgung | 1.425V ~ 1.575V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
Lieferanten-Gerätepaket | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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