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EDB4064B4PB-1D-F-R TR

Hersteller: Micron Technology Inc.
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: EDB4064B4PB-1D-F-R TR
Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Micron Technology Inc.
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße 4Gb (64M x 64)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Active
Speicherformat DRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 216-WFBGA
Taktfrequenz 533MHz
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur -30°C ~ 85°C (TC)
Lieferanten-Gerätepaket 216-WFBGA (12x12)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -

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