Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
1N5660Ae3
| Hersteller: | Microchip / Microsemi |
|---|---|
| Produktkategorie: | Accessories |
| Datenblatt: | 1N5660Ae3 |
| Beschreibung: | TVS Diodes / ESD Suppressors TVS |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Rohs | Details |
| Marke | Microchip / Microsemi |
| Polarität | Unidirectional |
| Unterkategorie | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes |
| Hersteller | Microchip |
| Produkttyp | TVS Diodes |
| Paket / Fall | DO-13-2 |
| Arbeitsspannung | 111 V |
| Klemmspannung | 179 V |
| Produktkategorie | TVS Diodes / ESD Suppressors |
| Breakdown-Spannung | 124 V |
| Kündigungsstil | Axial |
| Anzahl der Kanäle | 1 Channel |
| Fabrikpack-Menge | 100 |
| Cd - Diode Kapazität | - |
| Ipp - Spitzenpulsstrom | 8.4 A |
| Vesd - Spannung ESD Luftspalt | - |
| Vesd - Spannung ESD Kontakt | - |
| Maximale Betriebstemperatur | + 175 C |
| Minimale Betriebstemperatur | - 65 C |
| Pppm - Peak Pulse Power Dissipation | 1 W |
Auf Lager 0 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $18.64 | $18.27 | $17.90 |
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