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JANTXV2N5154

Hersteller: M/A-Com Technology Solutions
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: JANTXV2N5154
Beschreibung: DIODE
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller M/A-Com Technology Solutions
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie Military, MIL-PRF-19500/544
Verpackung Bulk
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Leistung - Max 1W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequenz - Übergang -
Lieferanten-Gerätepaket TO-39 (TO-205AD)
Vce Sättigung (Max.) 1.5V @ 500mA, 5A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 2A
Strom - Collector Cutoff (Max) 50µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 70 @ 2.5A, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 80V

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