Hersteller: | Infineon Technologies |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | SPW55N80C3FKSA1 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 800V 54.9A TO-247 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | CoolMOS™ C3 |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 3.3mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 85mOhm @ 32.6A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 500W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | PG-TO247-3 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 288nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 7520pF @ 100V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 54.9A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$14.66 | $14.37 | $14.08 |