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SPP80N03S2L-06

Hersteller:	Infineon Technologies
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	SPP80N03S2L-06
Beschreibung:	MOSFET N-CH 30V 80A TO-220AB
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	Infineon Technologies
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	OptiMOS™
FET-Typ	N-Channel
Verpackung	Tube
Vgs (Max.)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Obsolete
Montagetyp	Through Hole
Paket / Fall	TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 80µA
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	6.2mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (Max.)	150W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket	PG-TO220-3-1
Gate Charge (Qg) (Max.)	68nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	2530pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V