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ISP650P06NMXTSA1

Hersteller:	Infineon Technologies
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	ISP650P06NMXTSA1
Beschreibung:	MOSFET P-CH 60V SOT223-4
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	Infineon Technologies
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	OptiMOS™
FET-Typ	P-Channel
Vgs (Max.)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Active
Montagetyp	Surface Mount
Paket / Fall	TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1.037mA
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	65mOhm @ 3.7A, 10V
Verlustleistung (Max.)	1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket	PG-SOT223-4
Gate Charge (Qg) (Max.)	39nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	1600pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	3.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V