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IPZ65R019C7XKSA1

Hersteller:	Infineon Technologies
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	IPZ65R019C7XKSA1
Beschreibung:	MOSFET N-CH 650V TO247-4
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	Infineon Technologies
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	CoolMOS™ C7
FET-Typ	N-Channel
Verpackung	Tube
Vgs (Max.)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Active
Montagetyp	Through Hole
Paket / Fall	TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 2.92mA
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	19mOhm @ 58.3A, 10V
Verlustleistung (Max.)	446W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket	PG-TO247-4
Gate Charge (Qg) (Max.)	215nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	9900pF @ 400V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V