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IPP60R060C7XKSA1

Hersteller:	Infineon Technologies
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	IPP60R060C7XKSA1
Beschreibung:	MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	Infineon Technologies
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	CoolMOS™ C7
FET-Typ	N-Channel
Verpackung	Tube
Vgs (Max.)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Active
Montagetyp	Through Hole
Paket / Fall	TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 800µA
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	60mOhm @ 15.9A, 10V
Verlustleistung (Max.)	162W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket	PG-TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max.)	68nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	2850pF @ 400V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V