Hersteller: | Infineon Technologies |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IPP16CN10NGHKSA1 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V TO-220 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | OptiMOS™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Not For New Designs |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 61µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 16.5mOhm @ 53A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 100W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | PG-TO220-3 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 48nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 3220pF @ 50V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 53A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.88 | $0.86 | $0.85 |