Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

IPL65R165CFDAUMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPL65R165CFDAUMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 4VSON
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 4-PowerTSFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 900µA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 165mOhm @ 9.3A, 10V
Verlustleistung (Max.) 195W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-VSON-4
Gate Charge (Qg) (Max.) 86nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2340pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 21.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 0 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.86 $1.82 $1.79

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Schnäppchen-Funde

TK72E12N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.86
IXTA1N100P
IXYS
$1.86
DMN95H2D2HCTI
Diodes Incorporated
$1.85
IXFP7N60P3
IXYS
$1.85
IXTP8N65X2M
IXYS
$1.85
TK13E25D,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.85