Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

IPD090N03LGBTMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPD090N03LGBTMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A TO252
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 9mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (Max.) 42W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 15nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1600pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 0 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.24 $0.24 $0.23

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Schnäppchen-Funde

NTMFS4C06NBT1G
ON Semiconductor
$0.24
NTMFS4C760NT1G
ON Semiconductor
$0.24
IPN80R4K5P7ATMA1
Infineon Technologies
$0
AON2392
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0.24
DMN10H099SFG-13
Diodes Incorporated
$0.24
AON4407
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0