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IPA65R400CEXKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPA65R400CEXKSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V TO220-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion Super Junction
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 320µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 400mOhm @ 3.2A, 10V
Verlustleistung (Max.) 31W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO220 Full Pack
Gate Charge (Qg) (Max.) 39nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 710pF @ 100V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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