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IPA65R310CFDXKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPA65R310CFDXKSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 440µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 310mOhm @ 4.4A, 10V
Verlustleistung (Max.) 32W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO220 Full Pack
Gate Charge (Qg) (Max.) 41nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1100pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 11.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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