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IPA65R045C7XKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPA65R045C7XKSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V TO220-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ C7
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1.25mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 45mOhm @ 24.9A, 10V
Verlustleistung (Max.) 35W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO220-FP
Gate Charge (Qg) (Max.) 93nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 4340pF @ 400V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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