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FD1200R17KE3KNOSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: FD1200R17KE3KNOSA1
Beschreibung: MODULE IGBT IHM130-2
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ -
Teilstatus Not For New Designs
Leistung - Max 5950W
Konfiguration Dual Brake Chopper
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor No
Paket / Fall Module
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C
Lieferanten-Gerätepaket Module
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.45V @ 15V, 1200A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 1600A
Eingangskapazität (Cies) 110nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 5mA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1700V

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