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DDB2U30N08VRBOMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: DDB2U30N08VRBOMA1
Beschreibung: IGBT MODULE 800V 50A
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ -
Teilstatus Not For New Designs
Leistung - Max 83.5W
Konfiguration 3 Independent
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor Yes
Paket / Fall Module
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C
Lieferanten-Gerätepaket Module
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.55V @ 15V, 20A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 25A
Eingangskapazität (Cies) 880pF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 1mA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 600V

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