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BSZ0500NSIATMA1

Hersteller:	Infineon Technologies
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	BSZ0500NSIATMA1
Beschreibung:	MOSFET N-CH 30V 30A 8SON
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	Infineon Technologies
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	OptiMOS™
FET-Typ	N-Channel
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Active
Montagetyp	Surface Mount
Paket / Fall	8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	1.5mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (Max.)	2.1W (Ta), 69W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket	PG-TSDSON-8-FL
Gate Charge (Qg) (Max.)	52nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	3400pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	30A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V