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BSC084P03NS3EGATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSC084P03NS3EGATMA1
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
FET-Typ P-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±25V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 110µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 8.4mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TDSON-8-5
Gate Charge (Qg) (Max.) 57.7nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 4240pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 14.9A (Ta), 78.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

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