Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | BSC084P03NS3EGATMA1 |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | OptiMOS™ |
FET-Typ | P-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±25V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 110µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 8.4mOhm @ 50A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | PG-TDSON-8-5 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 57.7nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 4240pF @ 15V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 14.9A (Ta), 78.6A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.44 | $0.43 | $0.42 |