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BCR512E6327HTSA1

Hersteller:	Infineon Technologies
Produktkategorie:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt:	BCR512E6327HTSA1
Beschreibung:	TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	Infineon Technologies
Produktkategorie	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie	-
Verpackung	Digi-Reel®
Teilstatus	Last Time Buy
Leistung - Max	330mW
Montagetyp	Surface Mount
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistortyp	NPN - Pre-Biased
Basis-Teilenummer	BCR512
Widerstand - Basis (R1)	4.7 kOhms
Frequenz - Übergang	100MHz
Lieferanten-Gerätepaket	SOT-23-3
Widerstand - Emitter-Basis (R2)	4.7 kOhms
Vce Sättigung (Max.)	300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max)	500mA
Strom - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min)	60 @ 50mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max)	50V