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BCR119WE6327HTSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: BCR119WE6327HTSA1
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 250mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-70, SOT-323
Transistortyp NPN - Pre-Biased
Basis-Teilenummer BCR119
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms
Frequenz - Übergang 150MHz
Lieferanten-Gerätepaket PG-SOT323-3
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 120 @ 5mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

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