Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
MII100-12A3
| Hersteller: | IXYS |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Modules |
| Datenblatt: | MII100-12A3 |
| Beschreibung: | IGBT 1200V 135A SOA/RBSOA |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | IXYS |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Modules |
| Eingabe | Standard |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 560W |
| Konfiguration | Half Bridge |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| NTC-Thermistor | No |
| Paket / Fall | Y4-M5 |
| Basis-Teilenummer | MII |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | Y4-M5 |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 75A |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 135A |
| Eingangskapazität (Cies) | 5.5nF @ 25V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 5mA |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1200V |
Auf Lager 0 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $57.78 | $56.62 | $55.49 |
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