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IXTP230N04T4M

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXTP230N04T4M
Beschreibung: MOSFET N-CH
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchT4™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±15V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.9mOhm @ 115A, 10V
Verlustleistung (Max.) 40W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220 Isolated Tab
Gate Charge (Qg) (Max.) 140nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 7400pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 230A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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