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IXTH2N170D2

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXTH2N170D2
Beschreibung: MOSFET N-CH 1700V 2A TO-247
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion Depletion Mode
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 6.5Ohm @ 1A, 0V
Verlustleistung (Max.) 568W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247 (IXTH)
Gate Charge (Qg) (Max.) 110nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1700V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3650pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2A (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0V

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