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IXFX120N20

Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	IXFX120N20
Beschreibung:	MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	IXYS
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	HiPerFET™
FET-Typ	N-Channel
Verpackung	Tube
Vgs (Max.)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Obsolete
Montagetyp	Through Hole
Paket / Fall	TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 8mA
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	17mOhm @ 60A, 10V
Verlustleistung (Max.)	560W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket	PLUS247™-3
Gate Charge (Qg) (Max.)	300nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	9100pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V