Hersteller: | Global Power Technologies Group |
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Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Modules |
Datenblatt: | GSID200A120S3B1 |
Beschreibung: | SILICON IGBT MODULES |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Global Power Technologies Group |
Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Modules |
Eingabe | Standard |
Serie | Amp+™ |
IGBT-Typ | - |
Teilstatus | Active |
Leistung - Max | 1595W |
Konfiguration | 2 Independent |
Montagetyp | Chassis Mount |
NTC-Thermistor | No |
Paket / Fall | D-3 Module |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
Lieferanten-Gerätepaket | D3 |
Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2V @ 15V, 200A |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 400A |
Eingangskapazität (Cies) | 20nF @ 25V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1200V |
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$93.42 | $91.55 | $89.72 |