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GSID200A120S3B1

Hersteller: Global Power Technologies Group
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: GSID200A120S3B1
Beschreibung: SILICON IGBT MODULES
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Global Power Technologies Group
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie Amp+™
IGBT-Typ -
Teilstatus Active
Leistung - Max 1595W
Konfiguration 2 Independent
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor No
Paket / Fall D-3 Module
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Lieferanten-Gerätepaket D3
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2V @ 15V, 200A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 400A
Eingangskapazität (Cies) 20nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 1mA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

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