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GPA030A120MN-FD

Hersteller: Global Power Technologies Group
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: GPA030A120MN-FD
Beschreibung: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Global Power Technologies Group
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ Trench Field Stop
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 330nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 329W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-3
Testbedingung 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Schalten der Energie 4.5mJ (on), 850µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 40ns/245ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-3PN
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.5V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr) 450ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 60A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 90A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

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