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GP2M004A060CG

Hersteller:	Global Power Technologies Group
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	GP2M004A060CG
Beschreibung:	MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	Global Power Technologies Group
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
FET-Typ	N-Channel
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Obsolete
Montagetyp	Surface Mount
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	2.5Ohm @ 2A, 10V
Verlustleistung (Max.)	86.2W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket	D-Pak
Gate Charge (Qg) (Max.)	12nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	545pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V